80V TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器

...ayIntertechnology,Inc.宣布，推出6款单芯片和双芯片80-VTMBSTrenchMOS势垒肖特基整流器。这些整流器采用4种功率封装，具有10A～30A的电流额定范围。　　发布的器...2010/2/8 +more

压电振动式发电机微电源智能控制应用电路的设计

...发电机组模块、辅助发电机模块、开关控制模块、补充控制回路和MOS开关组成。　　电路所具有的特性：当储能器件的输出功率达不能满足负载功耗要求时MOS开关断开，储能器件处于完全储能状态，其漏电流为nA级，...2010/2/6 +more

...立器件在我国又常被称为电力电子器件，据北京工业大学亢宝位教授介绍，IGBT(绝缘栅双极晶体管)、功率MOS(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)和功率FRD(快恢复二极管)是该领域的三大支柱产品，以前作...2010/2/3 +more

...芯片所有信号都以该引脚为参考，该引脚直接与主电路地相连；GD：为MOS管的驱动信号输出引脚。为避免MOS管驱动信号震荡，一般在GD引脚与MOS管的栅极之间连接一十几欧姆到几十欧姆的电阻，电阻的大小由实...2010/1/31 +more

...　　(1)低噪放LNA的电路设计。　　本接收机用于实际批量产品，处于降低成本的考虑，低噪放LNA采用MOS管3SK318及外围电路来实现，其电路图，如图2所示。　　通过调节3SK318的偏执电路，当供...2010/1/30 +more

...1.大电流下的饱和压降低；　　2.易于构建出能处理高压线圈(400~600V)的电路；　　3.简化的MOS驱动能力；　　4.在线圈异常工作时能承受高能耗(SCIS额定范围内)。　　图2所示的点火IGB...2010/1/30 +more

...像电路形成单端输出。　　3结果分析　　3.1整体仿真　　本文所论及的比较器采用SIMC0.25μmCMOS工艺模型，选取电源电压为2.5V，时钟周期为250ns,并且使用Hspice进行瞬态仿真。设定...2010/1/30 +more

...预充电参数等等，都可以用混合信号示波器完成。　　MOS还提供DDR接口上的状态机解码和操作解码命令信息。此前你可能必须手动解码DDR协议或命令，但MOS可以自动解码这些命令。它很快告诉你当前控制信号...2010/1/24 +more

...，推出电流密度高达2A~4A、采用低尺寸表面贴装SMA和SMB封装的新款100VTMBSTrenchMOS势垒肖特基整流器。　　器件包括采用DO-214AC(SMA)封装的VSSA310S和VSSA...2010/1/21 +more

...N-MOSFET来达到限流的目的。若在该引脚连接一个容差为1％的电容，则其过流门限的精度最高；　　REV：反向充电控制输入端，需与DIR引脚配合使用。当电池接OUT端时，NCP370内部的N沟道MOS...2010/1/17 +more

...并行数据由P2口(P2．0～P2．5)读入，由于P2口内部有上拉电阻，因此作为输入口时，可用TTL或MOS电路驱动，而不要外加上拉电阻。W77E58的串行通信口2可留作系统的扩展口备用。　　2接收方调...2010/1/16 +more

...4|=VGS6，此时满足VD1=VD3，MOS管M1和M3的漏源电流相等，电流镜具有较好的电流匹配精度。然而M4是PMOS管、M6是NMOS管，PMOS管和NMOS管的跨导会随着Iin变化而变化，并且...2009/12/26 +more

...这类存储器材料研究的研发小组开始认为，这个概念永远都不会变成真正的产品。事实上，使这些概念符合标准CMOS集成要求及其制造温度，还需要解决几个似乎难以逾越的挑战。另一方面，业界对基于无机材料的新非易失...2009/12/24 +more

...了达林顿器件的模型参数提取；完成模型参数提取后，自动在图形符号库中增添该器件符号。　　6增加了亚微米MOS器件模型EKV2-6。EKV2-6是一种基于器件物理特性的模型，适用于采用亚微米工艺技术的低压...2009/12/19 +more

...振荡器电路结构，如图3所示。在图2中，电路通过两个PMOS负载M3和M4组成CMOS锁存器(Latch)，交叉连接的NMOS晶体管M7和M8控制PMOS负载的栅电压并限制锁存器的锁存强度。通过该锁存器...2009/12/19 +more

...应注意MOSFET中二极管的存在。如图2所示，N沟道MOSFET中源极S接二极管的阳极，P沟道MOS-FET中漏极D接二极管的阳极。因此，在大多数把MOSFET当作开关使用的电路中，对于N沟道MOSF...2009/12/19 +more

...并行数据由P2口(P2．0～P2．5)读入，由于P2口内部有上拉电阻，因此作为输入口时，可用TTL或MOS电路驱动，而不要外加上拉电阻。W77E58的串行通信口2可留作系统的扩展口备用。　　2接收方调...2009/12/18 +more

...功率放大器处于低电压范围，有利于设备的稳定运行。本文对D类MOS管在广播发射机射频功放电路中的应用进行了探讨。　　1MOSFET的开关特性　　MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管(MetalOx...2009/12/11 +more

...型MOSFET(p1)，并在n型MOSFET下面引入一个额外的n型MOSFET(n1)。当输入为高电平时，p1MOSFET关断，n1MOSFET开启，原始的反相器工作不受影响。当输入为低电平时，plM...2009/12/3 +more

...18.4mmX14mm，管脚长度为11.5mm,厚度为9.5mm。　　点击看原图　　这两款方案是内嵌MOS管MR16电源模块和灯条电源模块SSM1071M/DGAX，其驱动效率最高可达91%，其输出电...2009/11/30 +more

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